L6571AD013TR技术参数详情：
L6571AD013TR是ST意法半导体推出的一款半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，其高压侧支持高达600V的自举电压，为高压应用提供了可靠的驱动解决方案。
芯片集成了两个同步驱动器，提供拉出270mA、灌入170mA的峰值输出电流，确保了对功率开关管的快速、强力驱动，有助于降低开关损耗。其工作电压范围为10V至16.6V，并具备-40°C至150°C的宽工作结温范围，适应严苛的工业环境。独特的RC输入电路设计增强了抗干扰能力，并允许外部设置死区时间，有效提升了系统的安全性与可靠性。
- 型号:L6571AD013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
- 输入类型:RC 输入电路
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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