L6384E技术参数详情：
L6384E是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-DIP通孔封装，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT而优化。该器件集成了自举二极管，简化了高侧供电设计，其峰值输出电流能力达650mA（拉）和400mA（灌），并具备极快的开关速度（上升/下降时间典型值为50ns/30ns），能有效提升功率转换效率。
该驱动器支持高达600V的高侧浮地电压，工作结温范围覆盖-45°C至125°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。其反相输入逻辑兼容标准微控制器接口，主要面向电机驱动、开关电源和UPS等需要半桥拓扑的工业与消费类电源管理应用。
- 型号:L6384E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-DIP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-DIP
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