STB46NF30

STB46NF30是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心电气规格包括300V的漏源电压（Vdss）和高达42A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的硬件基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）典型值低至75毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为90nC，这有效平衡了传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体能效。此外，器件支持高达300W的功率耗散，并具备-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在 demanding 环境下的可靠性与长寿命。

• 型号:STB46NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB46NF30，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。