STW40N90K5技术参数详情：
STW40N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高效能、高可靠性的功率转换应用。
其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为99毫欧，以及较低的栅极电荷（89nC @ 10V），这共同确保了较低的导通与开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-247封装，最大功耗446W，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的严苛要求。
- 型号:STW40N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 40A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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