STP16N50M2技术参数详情：
STP16N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其500V的高漏源击穿电压与13A的连续电流处理能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的导通特性，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了高效的开关性能。这些特性使其成为追求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业控制系统的理想选择。
- 型号:STP16N50M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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