L6386ED013TR技术参数详情：
L6386ED013TR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计，其高压侧凭借集成自举电路可支持高达600V的工作电压，逻辑侧供电电压最大为17V。
其核心性能体现在强大的650mA/400mA峰值输出电流以及仅50ns/30ns（典型值）的快速开关时间上，这确保了功率器件的高效、高速切换，有助于降低开关损耗。器件具备反相输入逻辑和宽范围阈值电压，兼容性强，且工作结温范围宽达-40°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:L6386ED013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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