L6391DTR技术参数详情：
L6391DTR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器集成电路，采用14-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于高效驱动N沟道MOSFET和IGBT，其高压侧可承受最高600V的电压，并采用自举供电方案，仅需一个12.5V至20V的逻辑电源即可工作，简化了外围电路。
该驱动器提供两路独立通道，具备强劲的430mA拉电流与290mA灌电流峰值输出能力，结合75ns和35ns的典型快速开关时间，能有效优化功率器件的开关性能，降低损耗。其输入兼容标准逻辑电平，并内置欠压锁定保护，工作温度范围覆盖-40°C至150°C，确保了在工业电源管理、电机控制等应用中的鲁棒性和可靠性。
- 型号:L6391DTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
- 现在可以订购L6391DTR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
