L6398D技术参数详情：
L6398D是ST意法半导体生产的一款有源、半桥配置的栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立通道，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，其核心优势在于高达600V的自举电压能力和优异的开关速度（典型上升/下降时间75ns/35ns），这使其能够在高压应用中实现高效、可靠的浮地驱动，并有效降低开关损耗。
该驱动器提供10V至20V的宽供电电压范围，并具备强大的峰值驱动电流（拉出430mA，灌入290mA），确保了对功率开关栅极的快速、强力控制。其逻辑输入兼容反相与非反相模式，阈值设计（VIL 1.1V， VIH 1.9V）增强了噪声免疫力。结合-40°C至150°C的宽工作结温范围，L6398D成为要求高可靠性和高性能的工业电机控制、电源转换等应用的理想选择。
- 型号:L6398D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:反相，非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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