L6491D技术参数详情：
L6491D是ST意法半导体生产的一款有源、半桥配置的栅极驱动器集成电路，封装于14-SOIC。该器件设计用于独立驱动两个IGBT或N沟道MOSFET，其高压侧支持最高600V的自举电压，供电范围在10V至20V之间。
其核心优势在于强大的驱动能力和极快的开关速度。该驱动器可提供高达4A的峰值输出电流（拉电流和灌电流），并实现典型值15纳秒的上升与下降时间，这能显著降低功率开关管的开关损耗，提升系统整体效率。其逻辑输入为非反相，兼容标准电平，具备良好的噪声抑制能力。
此外，L6491D具备宽泛的工作温度范围（-40°C至125°C结温）和表面贴装特性，确保了其在工业电源管理、电机控制等严苛应用环境中的高可靠性和易用性。
- 型号:L6491D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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