STB23NM60ND技术参数详情：
STB23NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）和19.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合优化的180毫欧级导通电阻，为高压大功率应用提供了低传导损耗的解决方案。
其电气参数经过精心设计，包括较低的栅极电荷（Qg）和适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗。最大结温为150°C，确保了在高温环境下的可靠工作。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关部分的理想选择，旨在提升整体系统的效率和功率密度。
- 型号:STB23NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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