PD57030-E技术参数详情：
PD57030-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10封装。该器件在945MHz频率下，于28V工作电压时可提供高达30W的射频输出功率，其14dB的增益特性有助于简化系统前级设计。
该晶体管的核心优势在于其高功率处理能力与稳健性的结合。65V的高额定电压确保了出色的耐压可靠性，而裸露的底部焊盘封装则优化了热性能，适用于要求高功率密度和高效散热的射频功率放大器应用，如专业通信与基站设备。
- 型号:PD57030-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:14dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:30W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 现在可以订购PD57030-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
