LET9070CB技术参数详情：
LET9070CB是ST意法半导体生产的一款N沟道射频功率MOSFET，采用LDMOS技术。该器件设计用于945MHz频段，在28V工作电压下，能够提供高达80W的射频输出功率和16dB的典型功率增益，展现出强大的功率处理与信号放大能力。
其额定电压为80V，连续漏极电流达12A，采用M243封装，确保了良好的功率密度与散热性能。这些核心参数使其非常适用于需要高功率和高增益的射频功率放大器设计，例如专业通信基础设施等领域。
- 型号:LET9070CB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M243
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:16dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:400 mA
- 功率 - 输出:80W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M243
- 供应商器件封装:M243
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