LET9120

LET9120是ST意法半导体生产的一款有源N沟道射频功率LDMOS晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件设计用于高频、高功率场景，其核心特性是在860MHz频率下提供高达150W的射频输出功率，并具备18dB的典型功率增益，确保了高效的信号放大能力。

器件采用M-246封装，额定电压为80V，连续漏极电流达18A，在32V测试电压下表现出色。这些参数共同构成了其高功率处理能力和系统级可靠性的基础，使其非常适用于要求严苛的广播发射、工业射频能量及通信基础设施等领域的功率放大器设计。

• 型号:LET9120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M246
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 32V M246
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:860MHz
• 增益:18dB
• 电压 - 测试:32 V
• 额定电流（安培）:18A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:400 mA
• 功率 - 输出:150W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M246
• 供应商器件封装:M246
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