MJD45H11T4技术参数详情：
MJD45H11T4是ST意法半导体推出的一款PNP型功率双极性晶体管，采用表面贴装DPak封装。其核心优势在于高达80V的集射极击穿电压和8A的最大集电极电流，能够处理显著的功率负载。
该器件的突出卖点在于其优异的导通性能，在8A大电流下饱和压降最大值仅为1V，这直接降低了导通损耗并提升了系统整体效率。同时，其最小直流电流增益为40（@4A, 1V），确保了有效的电流控制能力。20W的最大功耗和150°C的最高工作结温，则为其在苛刻环境下的稳定运行提供了保障。
- 型号:MJD45H11T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS PNP 80V 8A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:10A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 4A，1V
- 功率 - 最大值:20 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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