NAND01GW3B2AZA6E技术参数详情：
NAND01GW3B2AZA6E是ST意法半导体生产的一款1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用63-TFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，基于成熟的NAND闪存技术，提供可靠的数据存储解决方案。
其关键参数包括30ns的快速页写周期和访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，支持在-40°C至85°C的工业级温度环境下稳定工作。这些特性使其能够满足对数据吞吐速度和环境适应性有较高要求的嵌入式应用。
该芯片适用于需要中等容量、非易失性存储且成本敏感的设计，其标准并行接口便于与多种主控芯片集成。产品以托盘形式包装，便于自动化生产。
- 型号:NAND01GW3B2AZA6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 现在可以订购NAND01GW3B2AZA6E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
