NAND512R3A2BZA6E技术参数详情：
NAND512R3A2BZA6E是ST意法半导体生产的一款512Mb容量NAND闪存芯片，采用64M x 8位的存储结构。该器件提供60ns的快速页写入和访问时间，并支持1.7V至1.95V的单电压供电，具备高效的数据吞吐能力和低功耗特性。
其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，采用63-VFBGA表面贴装封装，确保了在宽温环境和紧凑空间设计中的可靠性。该并行接口闪存适用于需要可靠非易失数据存储的各种嵌入式系统应用。
- 型号:NAND512R3A2BZA6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:63-VFBGA（8.5x15）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:60 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（8.5x15）
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