PD20010S-E技术参数详情：
PD20010S-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件设计用于高达2GHz的高频应用，在13.6V工作电压下可提供10W的射频输出功率，并具备11dB的功率增益，能够有效提升信号强度。
其40V的额定电压和5A的额定电流确保了在严苛工况下的稳定运行。封装底部的裸露焊盘显著增强了散热能力，适合需要高效热管理的功率放大电路。该晶体管主要面向专业移动通信、无线基础设施驱动级等对线性度和输出功率有明确要求的应用领域。
- 型号:PD20010S-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:2GHz
- 增益:11dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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