PD20010STR-E技术参数详情：
PD20010STR-E是ST意法半导体推出的一款N沟道射频功率LDMOS晶体管，采用PowerSO-10RF封装，专为高频、高功率应用设计。该器件在13.6V工作电压下，可于高达2GHz的频率下提供10W的射频输出功率，并具备约11dB的功率增益，展现了优异的信号放大效能。
其核心参数包括40V的额定电压和5A的额定电流，确保了在严苛工作条件下的可靠性。封装底部的裸露焊盘设计显著提升了散热能力，使其适合持续大功率工作。尽管目前已停产，但其技术指标仍适用于要求中等功率输出的射频放大电路，如专业通信设备的功放级。
- 型号:PD20010STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:2GHz
- 增益:11dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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