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PD20010STR-E
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
技术参数：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
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技术参数详情：
制造商产品型号：PD20010STR-E制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频零件状态：停产晶体管类型：LDMOS频率：2GHz增益：11dB电压-测试：13.6V额定电流（安培）：5A噪声系数：-电流-测试：150mA功率-输出：10W电压-额定：40V封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）现在可以订购PD20010STR-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
