PD20015C技术参数详情：
PD20015C是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率场效应晶体管（FET）。该器件设计用于高达2GHz的高频应用，核心卖点在于其15W的射频输出功率和约11dB的功率增益，能够在UHF至S波段提供有效的信号放大能力。
其技术参数显示，该晶体管具备40V的高额定电压和7A的额定电流，确保了在功率放大应用中的鲁棒性和可靠性。采用M243封装，兼顾了射频性能与散热需求。这些特性使其非常适合于专业通信、基站驱动及工业射频系统等需要中高功率放大的应用场景。
- 型号:PD20015C
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M243
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V M243
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:2GHz
- 增益:11dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:350 mA
- 功率 - 输出:15W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M243
- 供应商器件封装:M243
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