PD55008L-E技术参数详情：
PD55008L-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用8-PowerVDFN封装。该器件核心卖点在于其在500MHz工作频率下，能够提供高达8W的输出功率和19dB的功率增益，工作电压为12.5V，额定电压高达40V。
其紧凑的5x5mm PowerFLAT封装具备优异的热性能，支持高密度PCB布局。该晶体管专为要求高效率与良好线性度的射频功率放大应用而优化，适用于专业通信与工业射频系统。需要注意的是，该产品目前已停产。
- 型号:PD55008L-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:19dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
- 现在可以订购PD55008L-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
