STD50N03L技术参数详情：
STD50N03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为30V漏源电压（Vdss）与40A连续漏极电流（Id），专为中低压、大电流开关应用而优化。
其技术亮点在于极低的导通损耗，在10V Vgs、20A Id条件下，最大导通电阻仅为10.5mΩ。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至14nC（@5V），有助于实现高效率和高频开关操作。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，功率耗散能力为60W（Tc），确保了在 demanding 环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STD50N03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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