PD57006-E技术参数详情：
PD57006-E是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10RF封装，专为高频功率放大应用设计。该器件在945MHz频率下可提供高达6W的输出功率，并具备15dB的功率增益，能有效简化驱动级设计。
其核心优势在于65V的高额定电压和28V的测试电压，确保了在严苛工作条件下的高可靠性和动态范围。封装底部的裸露焊盘显著优化了热管理性能，适合要求高效率散热的射频功率放大器模块。此型号适用于专业移动通信、无线基础设施等需要稳定中等功率输出的场景。
- 型号:PD57006-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:1A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:70 mA
- 功率 - 输出:6W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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