PD57018-E技术参数详情：
PD57018-E是ST意法半导体推出的一款高性能LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），专为945MHz频段的高功率放大应用而优化。该器件采用PowerSO-10封装，结合裸露焊盘设计，提供了出色的散热能力。
其核心卖点在于高达18W的射频输出功率和16.5dB的功率增益，在28V工作电压下可实现高效、稳定的信号放大。高达65V的额定电压和2.5A的额定电流确保了其在严苛工作条件下的可靠性与耐用性，非常适合用于要求高线性度和效率的无线通信系统功率放大级。
- 型号:PD57018-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:16.5dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:2.5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:100 mA
- 功率 - 输出:18W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
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