STI100N10F7

STI100N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，核心电气规格包括100V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C条件下高达80A的连续漏极电流（I_D）承载能力，为中等电压范围的大电流开关应用提供了坚实的基础。

其关键性能优势在于优异的开关特性，最大栅极电荷（Q_g）低至60nC（@ 25V）。这一参数直接决定了更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率，并简化栅极驱动电路的设计。因此，该器件非常适合用于要求高效率和高功率密度的电源转换与电机控制解决方案。

• 制造商产品型号：STI100N10F7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 25V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK（TO-262）
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