PD85035TR-E技术参数详情:
PD85035TR-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率场效应晶体管(FET),属于晶体管-FET,MOSFET-射频系列。该器件核心设计用于870MHz频段,在13.6V工作电压下,能够提供高达15W的射频输出功率,并具备17dB的高功率增益,有效简化了驱动级设计。
其技术参数包括40V的额定电压和8A的额定电流,确保了强大的功率处理能力和工作可靠性。器件采用带裸露焊盘的PowerSO-10RF封装,显著优化了热管理性能,适用于要求高效率和高稳定性的UHF频段射频功率放大应用。
- 制造商产品型号:PD85035TR-E
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 零件状态:有源
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:870MHz
- 增益:17dB
- 电压-测试:13.6V
- 额定电流(安培):8A
- 噪声系数:-
- 电流-测试:350mA
- 功率-输出:15W
- 电压-额定:40V
- 封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
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