PWD5F60TR技术参数详情：
PWD5F60TR是ST意法半导体生产的一款工业级高密度半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC中的全、半桥驱动器产品系列。该器件采用功率MOSFET技术，设计用于驱动感性负载，其双通道半桥输出配置每通道可提供3.5A的连续输出电流，峰值驱动能力高达14A，并具备1.38欧姆的低典型导通电阻，有效优化了开关性能与功耗。
该芯片工作电压范围为10V至20V，集成了欠压锁定（UVLO）故障保护功能，增强了系统在电压异常情况下的安全性。其工业级设计确保了在-40°C至125°C的宽结温范围内可靠工作，并采用46-PowerVFQFN表面贴装封装，以卷带（TR）或剪切带（CT）形式提供，适用于高密度PCB布局和自动化贴装生产流程。
- 型号:PWD5F60TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:46-VFQFPN（15x7）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 全半桥驱动器
- 描述:IC HALF BRIDGE DRV 3.5A 46VFQFPN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 输出配置:半桥（2）
- 应用:工业级
- 接口:逻辑
- 负载类型:电感
- 技术:功率 MOSFET
- 导通电阻（典型值）:1.38 欧姆
- 电流 - 输出/通道:3.5A
- 电流 - 峰值输出:14A
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 电压 - 负载:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 特性:-
- 故障保护:UVLO
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:46-PowerVQFN
- 供应商器件封装:46-VFQFPN（15x7）
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