STL20NF06LAG技术参数详情：
STL20NF06LAG是ST意法半导体生产的一款符合AEC-Q101汽车级标准的N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET II技术，在PowerFlat封装内集成了强大的功率处理能力，其核心优势在于低导通电阻与高开关效率的出色结合。
其关键电气参数包括60V的漏源电压和20A的连续漏极电流，确保了在严苛应用中的可靠性。尤为突出的是，其在10V驱动下导通电阻最大值仅为40毫欧，配合极低的栅极电荷（22.5nC），显著降低了导通与开关损耗。这些特性使其成为要求高效率、高可靠性的汽车与工业功率开关应用的理想解决方案。
- 型号:STL20NF06LAG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），75W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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