SCT10N120技术参数详情：
SCT10N120是ST意法半导体基于碳化硅（SiC）技术开发的一款高性能N沟道功率开关管。该器件具备1200V的额定漏源电压和12A的连续漏极电流能力，采用HiP247通孔封装，最大功率耗散为150W。
其核心优势在于极低的开关损耗和导通损耗。在20V驱动电压下，其导通电阻典型值仅为690毫欧 @ 6A，同时栅极电荷最大值低至22nC，输入电容最大值仅为290pF @ 400V。这些特性共同确保了器件在高频开关应用中的高效率。其工作结温范围宽达-55°C至200°C，提供了卓越的热稳定性和可靠性。
- 型号:SCT10N120
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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