VND5E012MY-E技术参数详情：
VND5E012MY-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关，隶属于VIPower产品系列。该器件采用PowerSSO-36封装，集成了两个独立的N通道功率MOSFET，无需外部Vcc/Vdd供电，通过简单的开/关接口即可控制负载。
其核心优势在于极低的导通损耗与强大的驱动保护能力。每个通道典型导通电阻仅为11毫欧，可持续输出高达52A的电流，工作电压范围覆盖4.5V至28V。器件内置了全面的故障保护功能，包括固定限流、超温关断和过压保护，并具备自动重启机制，确保了系统在过载或异常条件下的高可靠性。其结温工作范围宽达-40°C至150°C，满足汽车及工业应用的严苛环境要求。
- 型号:VND5E012MY-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSSO-36
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO36
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:52A
- 导通电阻（典型值）:11 毫欧
- 输入类型:非反相
- 特性:带有自动重启功能
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerSSO-36
- 封装/外壳:PowerSSO-36 裸露底部焊盘
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