STW4N150

STW4N150是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压环境，其核心卖点在于高达1500V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）能力，为工业级功率应用提供了坚实的电压与电流支撑。

其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性上。仅7欧姆的低导通电阻（Rds(on)）配合50nC的低栅极电荷（Qg），在保证低导通损耗的同时，实现了快速开关，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用TO-247-3通孔封装，最大结温150°C，功率耗散达160W，确保了在严苛工况下的可靠散热与长期稳定运行。

• 型号:STW4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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