SCT10N120H

SCT10N120H是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET），代表了高压功率开关技术的前沿。该器件核心参数包括1200V的漏源电压和12A的连续漏极电流，结合其基于SiC材料的先天优势，能够在高电压和高频开关条件下实现极低的导通与开关损耗。

其技术亮点在于优异的动态性能，典型栅极电荷（Qg）低至22nC，导通电阻（Rds(on)）在6A，20V条件下典型值为690mΩ，这直接转化为更高的系统效率和开关频率。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，支持高达200°C的结温工作，确保了在高功率密度应用中的可靠性和散热效能。

• 型号:SCT10N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2Pak-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2Pak-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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