SCT30N120H

SCT30N120H是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心优势在于其宽禁带半导体材料特性，提供了1200V的漏源电压和40A的连续漏极电流处理能力，适用于高压高功率应用环境。

其技术参数突出高效与快速开关特性，在20V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至100毫欧（@20A），最大栅极电荷（Qg）仅为105nC。这些特性共同作用，显著降低了导通与开关损耗，支持更高频率的开关操作。器件结温工作范围宽达-55°C至200°C，确保了在高温环境下的可靠性与长寿命运行。

• 型号:SCT30N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购SCT30N120H，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。