SCTL35N65G2V技术参数详情：
SCTL35N65G2V是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat HV封装的650V N沟道碳化硅结晶体管（SJT）。该器件集成了SiC材料的优势，旨在提供高效率与高功率密度。
其核心电气参数包括40A的连续漏极电流（Tc）和低至67毫欧的导通电阻（@20A, 20V），这直接降低了导通损耗。同时，73nC的低栅极电荷（@20V）支持高速开关操作，有助于提升开关电源的工作频率。宽达-55°C至175°C的工作结温范围确保了其在恶劣环境下的可靠性。
综上所述，SCTL35N65G2V是一款针对高压、高频和高效率应用而优化的功率开关器件，适用于工业电源、新能源转换及电机驱动等先进领域。
- 型号:SCTL35N65G2V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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