STU6N90K5技术参数详情：
STU6N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件专为高效能、高可靠性的功率开关应用而设计。
其核心特性包括高达900V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id）额定值，确保了在高压大电流环境下的稳定工作。关键优势在于其优化的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为1.1欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，最大功率耗散为110W，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，具备出色的散热能力和环境适应性。
- 型号:STU6N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK（TO-251）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
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