STGW8M120DF3技术参数详情：
STGW8M120DF3是ST意法半导体推出的一款采用沟槽栅场截止技术的单管IGBT。该器件额定电压为1200V，额定电流为16A，其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好结合，典型饱和压降（Vce(on)）低至2.3V @ 8A。
该器件具备优化的动态参数，开关能量总和低于760J，反向恢复时间仅为103ns，这有助于提升系统效率并降低开关噪声。其采用TO-247-3标准封装，最大功耗167W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:STGW8M120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO-247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:390J（导通），370J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:32 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns
- 测试条件:600V，8A，33 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):103 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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