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SCTW40N120G2V
- 制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:HiP247
- 技术参数：SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
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SCTW40N120G2V技术参数详情：
- 型号:SCTW40N120G2V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 欧姆 @ 20A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1233 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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