SGSD200技术参数详情：
SGSD200是ST意法半导体生产的一款PNP达林顿功率晶体管，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其强大的电流处理能力与高增益特性，其集电极最大连续电流可达25A，集射极击穿电压为80V，能够稳健应对中高压、大电流的开关与控制任务。
其直流电流增益（hFE）最小值高达500（测试条件：Ic=10A, Vce=3V），这意味着仅需极小的基极驱动电流即可实现对大负载的精确控制，显著降低了前级驱动电路的设计复杂度与功耗。最大130W的功耗能力结合TO-247封装良好的散热特性，使其适用于对可靠性要求严苛的工业与汽车电子环境。
- 型号:SGSD200
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3.5V @ 80mA，20A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:500 @ 10A，3V
- 功率 - 最大值:130 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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