ST901T技术参数详情：
ST901T是ST意法半导体生产的一款有源、高性能NPN达林顿功率晶体管。该器件采用TO-220-3通孔封装，核心优势在于其350V的高集射极击穿电压与4A的连续集电极电流能力，能够胜任严苛的功率处理任务。
其达林顿结构带来了极高的直流电流增益（hFE最小值1800），仅需微小基极电流即可驱动安培级负载，极大简化了驱动电路设计。同时，100W的最大功耗和150°C的最高结温确保了其在高温、高功率环境下的稳定性和可靠性，适用于开关电源、电机驱动及线性放大等多种中高功率应用场景。
- 型号:ST901T
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:350 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2V @ 20mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1800 @ 2A，2V
- 功率 - 最大值:100 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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