STU7N65M6技术参数详情：
STU7N65M6是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Tc），为功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势主要体现在MDmesh M6超结技术带来的低损耗特性上，具备较低的导通电阻和优异的开关性能。关键参数如最大3.75V的栅极阈值电压、仅6.9nC的栅极电荷以及220pF的输入电容，共同确保了快速、高效的开关操作，有助于提升系统整体能效和功率密度。
- 型号:STU7N65M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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