ULN2066B技术参数详情：
ULN2066B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列，采用16-PowerDIP通孔封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对，每个通道可提供高达1.75A的连续集电极电流和50V的集射极击穿电压，能够直接驱动继电器、电机线圈等中功率负载。
其设计核心优势在于高电流增益与内置保护。输入端兼容TTL/5V CMOS电平，易于与微控制器接口；每个输出端均集成续流二极管，可直接驱动感性负载而无需外接保护电路。在1.25A输出电流下，其最大饱和压降仅为1.4V，有效降低了导通损耗。这些特性使其成为多路负载驱动应用的紧凑、可靠解决方案。
- 型号:ULN2066B
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-PowerDIP（20x7.10）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.75A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.4V @ 2mA，1.25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:16-PowerDIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:16-PowerDIP（20x7.10）
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