STD11N65M2技术参数详情：
STD11N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用表面贴装型DPAK封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为670毫欧，配合低至12.5nC的栅极电荷（Qg），共同实现了低导通损耗与高开关速度，这对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和85W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的高可靠性运行。
- 型号:STD11N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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