STB100NF04T4技术参数详情：
STB100NF04T4是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。作为通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET II系列成员，它专为高可靠性、高效率的功率控制应用而设计。
该器件的核心电气参数表现卓越：漏源电压（Vdss）为40V，在25°C壳温下可支持高达120A的连续漏极电流。其最显著的优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、50A电流条件下，最大值仅为4.6毫欧，这能有效降低导通损耗，提升系统能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为150nC，有助于实现快速的开关切换。
此外，STB100NF04T4具备300W的最大功率耗散能力，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和耐久性，非常适用于汽车电子及高要求的工业电源领域。
- 型号:STB100NF04T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB100NF04T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
