STB10N95K5技术参数详情：
STB10N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至800毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能有效降低传导损耗。
该MOSFET在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流，最大功耗为130W。其开关特性经过优化，栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。器件工作结温范围宽广（-55°C ~ 150°C），确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性，主要面向要求严苛的工业级开关电源和功率转换系统。
- 型号:STB10N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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