STS3DPF60L技术参数详情：
STS3DPF60L是意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的双P沟道功率MOSFET阵列，隶属于STripFET产品系列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，每个通道具备60V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其核心优势在于优异的驱动兼容性与开关性能。栅极阈值电压低至1.5V（最大值），可直接由3.3V/5V微控制器驱动，简化了电路设计。同时，在10V Vgs下，其导通电阻（RDS(on)）最大值为120毫欧，配合最大仅15.7nC的栅极电荷（Qg），有效降低了导通损耗与开关损耗，提升了系统整体能效与开关速度。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的环境。
- 型号:STS3DPF60L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 60V 3A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 P 沟道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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