STPSC4H065B-TR技术参数详情：
STPSC4H065B-TR是ST意法半导体推出的一款650V、4A碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅宽禁带材料的优势，实现了零反向恢复时间（0 ns），从根本上消除了开关损耗，特别适用于高频开关应用。
其关键参数包括在4A电流下1.75V的低正向压降，以及在650V高压下仅40A的低反向漏电流，确保了高效导通与可靠阻断。这些特性使其成为提升功率因数校正（PFC）、太阳能逆变器、UPS及服务器电源等系统效率和功率密度的理想选择。
- 型号:STPSC4H065B-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):4A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 4 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:200pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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