STD60N3LH5

STD60N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合，在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为8毫欧（@24A），连续漏极电流高达48A（Tc），能显著降低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值低至8.8nC（@5V），支持快速开关，有助于提升开关电源的整体效率并降低开关损耗。30V的漏源电压（Vdss）与宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），使其适用于对效率和可靠性要求较高的中低压、大电流开关应用场景。

• 型号:STD60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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