STD85N3LH5技术参数详情：
STD85N3LH5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK封装，专为低压大电流开关应用而优化。
其核心优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至5毫欧（@40A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC，这共同确保了在高频开关电源和电机控制等应用中实现更高的能效和功率密度。器件额定值为30V漏源电压（Vdss）与80A连续漏极电流（Id），并具备175°C的最高结温，提供了稳健的电气性能和热可靠性。
- 型号:STD85N3LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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