STGWA100H65DFB2技术参数详情：
STGWA100H65DFB2是ST意法半导体HB2系列中的一款高性能单管IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术。其核心优势在于650V的集射极击穿电压和145A的最大连续集电极电流，结合低至2V @ 15V, 100A的饱和压降，实现了优异的导通性能与功率处理能力。
该器件开关特性出色，开关能量较低（开通2.2mJ，关断1.4mJ），栅极电荷为288nC，有助于提升系统效率并简化驱动设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和TO-247-3通孔封装，确保了在工业级应用中的高可靠性与散热效能。
- 型号:STGWA100H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:145 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A
- 功率 - 最大值:441 W
- 开关能量:2.2mJ（导通），1.4mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:288 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/130ns
- 测试条件:400V，100A，2.2 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):123 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 现在可以订购STGWA100H65DFB2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
