STB16NF06LT4

STB16NF06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压和电流处理能力。

其关键优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至90毫欧@8A，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值10nC @ 4.5V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率并降低驱动需求。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和各类功率转换电路的理想选择。

• 型号:STB16NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:345 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB16NF06LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。