STGWT30HP65FB技术参数详情：
STGWT30HP65FB是ST意法半导体生产的一款650V/60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P封装。该器件在30A电流下的典型饱和压降仅为2V，关断开关能量低至293J，实现了低导通损耗与快速开关特性的优异平衡。
其设计支持高达120A的脉冲电流和260W的功耗，结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在恶劣工况下的高可靠性与鲁棒性。这些特性使其成为工业电机驱动、变频及中大功率开关电源等高效能转换应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGWT30HP65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:293J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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